LED芯片制造流程--LED灯具_深圳海洋王之亮科技有限公司

随着技术的进步，LED的效率一直是一个非常大的进步。在不久的将来将取代现有的照明LED灯泡。近年来，人们制造LED芯片的第一氮化镓（GaN）基外延晶片（晶片），所需的信号源材料晶片（碳化硅SiC）的多种高纯度气体，如在生产过程中的在基板上氢气H2或惰性气体如氩气中，Ar为载体，按照一步一步工艺要求可以使晶片。接下来是一个LED-PN结的两个电极进行处理，和LED毛减薄，划片。 MAO和然后进行测试和排序，可以得到的LED芯片。具体过程的方法，没有详细的说明。第一低，制作氮化镓衬管（GaN）基外延晶片，其过程主要是在有机金属化学气相沉积晶圆炉（MOCVD）完成。准备生产GaN基外延片和各种所需的源材料纯度的气体，按照步骤一步工艺要求的晶圆可以做到的。所用的衬底是蓝宝石，碳化硅和硅衬底，以及砷化镓，氮化铝，氧化锌和其他材料。
MOCVD法是利用气态反应物（前体）和Ⅲ和Ⅴ族的NH3反应，在衬底的表面上，所需的产物沉积在衬底表面上的有机金属基团。通过控制温度，压力，反应物浓度和不同的规模，从而控制所述涂料组合物，相同的晶体质量。 LED外延片的MOCVD外延炉生产中最常用的设备。
LED PN结的两个电极进行处理，电极加工的关键工序生产的LED芯片，包括洗涤，蒸发，黄色，化学蚀刻，熔合，研磨，然后切割LED毛，测试和选择后，您可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够干净，蒸发系统是不正常的，它会导致沉积的金属层（指蚀刻电极）会脱落，变色的金属层，黄金泡沫和其他异常的外观。
沉积过程中，有时需要弹簧固定的芯片，它会产生钳痕（除了目视检查，一定要挑）。黄色的业务包括烘烤，光致抗蚀剂，照相曝光，开发等，如果开发商没有在面具孔将是全面和发光面积残留多种金属。
芯片在前面的过程中，各个工序，如清洗，沉积，黄色，化学蚀刻，熔合，研磨等操作必须使用镊子和篮子，车辆等，因此会有芯片电极刮伤的事情发生。